Решение задач на тему: Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов

Введение

Силовая электроника первоначально возникла как область техники, связанная преимущественно с преобразованием различных видов электроэнергии на основе использования электронных приборов. В дальнейшем достижения в области полупроводниковых технологий позволили значительно расширить функциональные возможности, силовых электронных устройств и соответственно области их применения.

Однако, несмотря на интенсивное расширение функций аппаратов силовой электроники и областей их применения основные научно-технические проблемы и задачи, решаемые в области силовой электроники, связаны с. преобразованием электрической энергии.

Электроэнергия используется в разных формах: в виде переменного тока с частотой 50 Гц (за исключением США и некоторых других стран, где за основную принята частота 60 Гц) в виде постоянного тока (свыше 20% всей вырабатываемой электроэнергии), а также переменного тока повышенной частоты или токов специальной формы (например, импульсной и др.). Это различие в основном обусловлено многообразием и спецификой потребителей, а в ряде случаев (например, в системах автономного электроснабжения) и первичных источников электроэнергии.

Разнообразие в видах потребляемой и вырабатываемой электроэнергии вызывает необходимость ее преобразования. Основными видами преобразования электроэнергии являются:

1) выпрямление (преобразование переменного тока в постоянный);

2) инвертирование (преобразование постоянного тока в переменный);

3) преобразование частоты (преобразование переменного тока одной частоты в переменный ток другой частоты).

Существует также ряд других, менее распространенных видов преобразования: формы кривой тока, числа фаз и др. В отдельных случаях используется комбинация нескольких видов преобразования. Кроме того, электроэнергия может преобразовываться с целью улучшения качества ее параметров, например для стабилизации напряжения или частоты переменного тока. i

Основными элементами силовой электроники, ставшими базой для создания статических преобразователей, явились полупроводниковые приборы. Проводимость большинства полупроводниковых приборов в существенной мере зависит от направления электрического тока: в прямом направлении их проводимость велика, в обратном - мала (т. е. полупроводниковый прибор имеет два явно выраженных состояния: открытое и закрытое). Полупроводниковые приборы бывают неуправляемыми и управляемыми. В последних можно управлять моментом наступления их высокой проводимости (включением) посредством управляющих импульсов малой мощности. Первыми отечественными работами, посвященными исследованию полупроводниковых приборов и их использованию для преобразования электроэнергии были работы академиков В. Ф. Миткевича, Н. Д. Папелекси и др.

Оглавление

- Введение 2

- Полупроводниковые диоды

- Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов

- Параметры полупроводниковых диодов

- Силовые полупроводниковые выпрямительные диоды

- Низкочастотные параметры диода

- РАСЧЕТ и исследование мощных низкочастотных диодов на основе кремния

- Расчет параметров диода

- Расчет вольтамперных характеристик при малых плотностях тока

- Модуляция базы при высоких уровнях инжекции

- Время жизни ННЗ включение диодов и спад послеинжекционной эдс

- Особенности переходных характеристик диодов с р-базой

- Расчет ВАХ при высоких плотностях прямого тока влияние электронно-дырочного рассеяния

- Методы производства диодов

- Заключение 32

- Выводы 33

- Список литературы 34

Заключение

Расширилась область применения силовых электронных устройств в сфере бытовой электроники (регуляторы напряжения и др.).

Благодаря интенсивному развитию электроники, начиналось создание нового поколения изделий' силовой электроники. Базой для него явились разработка и освоение промышленностью новых типов силовых полупроводниковых приборов: запираемых тиристоров, биполярных транзисторов, МОN-транзисторов и др. Одновременно существенно повысились быстродействие полупроводниковых приборов, значения предельных параметров диодов и тиристоров, развились интегральные и гибридные технологии изготовления полупроводниковых приборов различных типов, начала широко внедряться микропроцессорная техника для управления и контроля преобразовательными устройствами.

Следует отметить, что использование полностью управляемых быстродействующих полупроводниковых приборов в традиционных схемах существенно расширяет их возможности в обеспечении новых режимов работы и, следовательно, новых функциональных свойств изделий силовой электронной техники.

Список литературы

1. Управляемые полупроводниковые вентили: Пер. с англ./Ф. Джентри, Ф. Гутцвиллер, Н. Голоньяк, Э. фон Застров. М.: Мир, 1967. - 356 с.

2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. М.: Мир, 1984. - 368 с.

3. Евсеев Ю. А., Дерменжи П. Г. Силовые полупроводниковые приборы: Учебник для техникумов. М.: Энергоиздат, 1981. - 298 с.

4. Силовые полупроводниковые приборы/В. Е. Челноков, Ю. В. Жиляев, Н. А. Соболев и др. // Силовая преобразовательная техника (Итоги науки и техники). М.: ВИНИТИ, 1986. Т. 4. С. 1-108.

5. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов/В. П. Григоренко, П. Г. Дерменжи, В. А. Кузьмин, Т. Т. Мнацаканов. М.: Энергоатомиздат, 1988. - 315 с.

6. Расчет силовых полупроводниковых приборов/П. Г. Дерменжи, В. А. Кузьмин, Н. Н. Крюкова и др. М.: Энергия, 1980. - 242 с.

7. Блихер А. Физика тиристоров: Пер. с англ./Под ред. И. В. Грехова. Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1981. - 315 с.

8. Бениш Ф. Отрицательные сопротивления в электронных схемах. М.: Сов. радио, 1975. - 196 с.

9. Челноков В. Е., Евсеев Ю. А. Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973. - 298 с.

10. Нiконова З.А., Небеснюк О.Ю. Твердотiла електронiка. Конспект лекцiй для студентiв напрямку "Електронiка" ЗДIА/ Запорiжжя: Видавництво ЗДIА, 2002. - 99с.

11. Твердотiла електронiка. Навчальний посiбник до курсового проекту для студентiв ЗДIА спецiальностi "Фiзична та бiомедична електронiка" денної та заочної форм навчання /Укл: З.А. Нiконова, О.Ю. Небеснюк,, М.О. Лiтвiненко, Г.А. Слюсаревська. Запорiжжя, 2005. - 40с.

12. Пасынков В. В., Чиркин Л. К., Шинков А. Д. Полупроводниковые приборы. - М.: Высшая школа, 1981. - 431 с.

13. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1983г. - 384 с.

14. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. - М.: Энергоатомиздат, 1990г. - 376 с.

15. Жеребцов И.П. Основы электроники. - Энергоатомиздат, Ленинградское отд-ние, 1989г. - 352 с.

16. Батушев В. А. Электронные приборы. - М. , "Высшая школа" 1980. - 383 с.